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新中國(guó)第一塊砷化鎵微波低噪聲單片集成電路 | 電科信物
來(lái)源:新聞中心
發(fā)布時(shí)間:2025年12月08日 編輯:新聞中心

  

  時(shí)光的印記里,藏著電子科技發(fā)展的密碼;創(chuàng)新的序章中,記錄著從無(wú)到有的跋涉。電科信物欄目用文字還原老故事,用鏡頭留存老物件,讓見(jiàn)證電子科技進(jìn)步的信物“發(fā)聲”,讓銘刻創(chuàng)新發(fā)展的歷史“說(shuō)話(huà)”。

  邀你成為時(shí)光見(jiàn)證者,一起踏上這段有溫度、有觸感的尋物旅程。讓我們跟隨這些“時(shí)光見(jiàn)證者”,聆聽(tīng)電子科技從篳路藍(lán)縷到星辰大海的澎湃回響。

新中國(guó)第一塊砷化鎵微波低噪聲單片集成電路

  在1956年“向科學(xué)進(jìn)軍”的號(hào)召下,半導(dǎo)體技術(shù)被列為國(guó)家四大緊急措施之一。

  中國(guó)電科55所從1958年建所初期,就開(kāi)始了第一代半導(dǎo)體鍺、硅兩端器件的研究,并成功研制出國(guó)內(nèi)第一塊片狀鍺單晶。

信物1

鍺單晶

  1968年,55所緊盯國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展前沿,開(kāi)始了第二代半導(dǎo)體砷化鎵晶體管研制,并在70年代開(kāi)始砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究,開(kāi)始向微波毫米波半導(dǎo)體三端器件和微波單片集成電路方向發(fā)展。

  一代材料、一代器件

  微波單片集成電路技術(shù)(MMIC)具有小型化、高性能、低成本等優(yōu)勢(shì),可以廣泛應(yīng)用在陸海空天各型裝備中,當(dāng)時(shí)被喻為一項(xiàng)頂級(jí)戰(zhàn)略性技術(shù)。1977年,當(dāng)55所原總工程師林金庭提出這一研究構(gòu)想時(shí),還查不到相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)報(bào)道。“國(guó)家有需要,55所人就去干”!秉持著這一使命,55所“微波單片集成放大器課題組”成立。

  課題組克服了實(shí)驗(yàn)室硬件條件不足等困難,沒(méi)有條件創(chuàng)造條件,自己動(dòng)手研制實(shí)驗(yàn)設(shè)備,經(jīng)過(guò)兩年多的艱苦奮斗,在1980年,成功研制出新中國(guó)第一塊砷化鎵低噪聲微波單片集成電路,研究成果被評(píng)為“六五”國(guó)家科技攻關(guān)優(yōu)秀成果。同年,55所研制的砷化鎵雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管也獲得國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)。

  技術(shù)突破了就要上裝備

  為了提高批產(chǎn)能力,1985年,55所承接了國(guó)家重點(diǎn)項(xiàng)目微波電路生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)工程,先后建立了國(guó)內(nèi)第一條2、3、4英寸砷化鎵微波器件研制線(xiàn),實(shí)現(xiàn)了小片到標(biāo)準(zhǔn)晶圓的躍升,滿(mǎn)足了相關(guān)裝備自主保障需求,并保證了載人航天、探月等一批重大工程。

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信物3

  如今,老一輩科研人員創(chuàng)業(yè)的精神依然熠熠生輝,激勵(lì)著年輕一代55所人矢志強(qiáng)芯固基,在勇?tīng)?zhēng)第一、創(chuàng)新圖強(qiáng)的道路上堅(jiān)定不移地向前進(jìn)!

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